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西安奕斯伟申请外延硅片缺陷识别方式及安拆、
发布时间:2025-04-05 05:35 点击:


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  金融界2025年1月16日动静,西安奕斯伟材料科技股份无限公司、西安奕斯伟硅片手艺无限公司申请一项名为“外延硅片的缺陷识别方式及安拆、制制方式”的专利,申请日期为2024年9月。

  专利摘要显示,本发现供给了一种外延硅片的缺陷识别方式及安拆、制制方式,属于半导体系体例制手艺范畴。外延硅片的缺陷识别方式,获得外延硅片;将外延硅片的概况划分为多个区域,并获取每个区域的Nano数值;按照每个区域的Nano数值确定外延硅片的Nano面积百分比以及每个区域的Nano变化值;若是外延硅片的Nano面积百分比大于第一阈值且存正在区域的Nano变化值大于第二阈值,将外延硅片的缺陷取外延发展设备的支持杆的进行婚配;若是婚配,判断外延硅片发生针印Pin Nano缺陷。本发现可以或许正在外延发展过程中及时检测到Pin Nano缺陷的发生,降低出产资本的华侈。







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张会校
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