金融界2025年1月16日动静，西安奕斯伟材料科技股份无限公司、西安奕斯伟硅片手艺无限公司申请一项名为“外延硅片的缺陷识别方式及安拆、制制方式”的专利，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发现供给了一种外延硅片的缺陷识别方式及安拆、制制方式，属于半导体系体例制手艺范畴。外延硅片的缺陷识别方式，获得外延硅片；将外延硅片的概况划分为多个区域，并获取每个区域的Nano数值；按照每个区域的Nano数值确定外延硅片的Nano面积百分比以及每个区域的Nano变化值；若是外延硅片的Nano面积百分比大于第一阈值且存正在区域的Nano变化值大于第二阈值，将外延硅片的缺陷取外延发展设备的支持杆的进行婚配；若是婚配，判断外延硅片发生针印Pin Nano缺陷。本发现可以或许正在外延发展过程中及时检测到Pin Nano缺陷的发生，降低出产资本的华侈。
